究竟能有多大能耐？Intel新3D Xpoint详解

　　【PConline 资讯】对于普通消费者来说，目前最影响整机性能的环节自然要算存储了，虽然目前SSD已经进入了最高速的普及期，但是Intel已经开始展望未来了！在本次IDF2015上，Intel公布了关于最新的存储技术3D Xpoint的部分技术细节，下面就等小编为你一一道来！

　　可以说3D Xpoint的重中之重就在于其全新的存储架构，可以说是相对于之前的HDD的磁性记忆和SSD的NAND闪存都有非常大的不同！

　　现场给出的部分初期技术数据，速度方便比NAND快1000倍、耐久度比NAND高1000倍，还有就是相对于内存所用的DRAM将会拥有10的的存储密度提升，所以整体来看可以说是一种结合了NAND和DRAM的部分优点的产品！

　　现场还展示了初期产品的实际表现，其实就是IOPs成绩的对比，用的产品分别是全新的3D Xpoint和Intel自家的P3700，后者可以说是搭载NAND闪存SSD中的佼佼者。但即便这样在两个成绩测试中3D Xpoint还是拉开了很大的差距。

　　两个成绩分别对应的是数据队列为8和1情况下的4K读取IOPs，8线程情况下的差距大概在5.44倍，单线程下这个差距进一步拉大到7.25倍，可以看出全新的3D Xpoint其实最主要的优势就在于单线程数据的读写更加快！（因为单个读写时间短，所以整体的IOPs高）

　　现场也给出了3D Xpoint的架构模型，第一眼我们能够确定的就是3D Xpoint从一开始就是一种3D设计的存储体结构！这样做的结果只有一个，存储密度会以几何倍数提高，而且在后期发展中只需要通过增加3D结构的层数即可实现性能参数的进一步提升！

　　上图中的每一个黄色+绿色的长条就是一个记忆单元，而蓝色的就是导线了，而且上下两层导线之间还构成交叉的结构，这也是为什么会叫做Xpoint。记忆单元本身也不是看上去那么简单，因为传统的NAND和DRAM的信息实际保存都是通过电压大小来实现的（DRAM掉电之后还会自动抹除内容），而3D Xpoint采用的方式已经转变了为电阻，而记忆单元的读写则是通过电压的改变来实现电阻大小的改变，所以可以说3D Xpoint之前发展的最大拦路虎就是记忆体的材料本身。

传统的NAND的物理结构

　　因为材料本身的特性，导致整个记忆体的结构非常简单，剩下的就是交叉布置的导线结构，这种结构保证了每一个记忆体都能通过两条导线进行定位，而不用管这两条导线上究竟有多少个记忆体，与传统的NAND记忆体复杂的结构相比，3D Xpoint简单了不止一点点。

　　简单带来的也不仅仅是单位体积内的容量增加那么简单，而且对于性能也会有所提升，因为整个读写的动作过程非常简单，使得只需要解决好特定数据查找的问题（确定究竟是哪两条导线），那么整个过程将无限接近于材料自身改变的时间+控制单元反应时间。

　　除了现场展示之外，小编还参与了现场的技术采访，来自Intel的发言人给出了以下几点关键信息：

　　1、目前实际产品仍处于实验当中，最终的性能规格需要等到产品落实之后才能完全确定。
　　2、最终的产品将会拥有不同的形态，M.2和U.2接口是最有可能的。
　　3、很可能不会采用全新的硬件I/O接口，低端产品很可能依旧采用PCIE通道，高端产品可能直接借用内存的DIMM插槽。
　　4、第一批产品制程为20nm，3D结构上的记忆体只有2层。
　　5、在Intel看来，3D Xpoint才是固态硬盘的最终形态。

　　其中第三点非常值得关注，因为从目前的部分数据来看，5-7倍于顶级NAND SSD的速度早已经超过了最新的PCI-E 3.0 X4的整体带宽大小，PCI-E通道是否会成为性能的瓶颈需要时间来验证。而如果采用DIMM接口的话，性能发挥应该不是大问题，但是这是否意味着它会彻底取代DRAM内存而成为与CPU直连的统一记忆体呢？

　　总结：由于目前3D Xpoint技术其实也是刚刚发布，而且具体的技术细节在这次IDF上并没有过多提供，而实际产品最快也要明年才会出现，究竟能够为存储技术带来多大的改变只能通过时间来验证！